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展會(huì)資訊

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新拓三維受邀參加CSPT2022中國半導(dǎo)體封裝測試技術(shù)與市場年會(huì)

2022-11-21

11月14日-16日,2022中國半導(dǎo)體封裝測試技術(shù)和市場年會(huì)在江蘇南通國際會(huì)議中心盛大舉行,領(lǐng)航先進(jìn)封裝技術(shù)方向,賦能產(chǎn)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新發(fā)展。

新拓三維攜DIC顯微應(yīng)變測量產(chǎn)品參加2022中國半導(dǎo)體封裝測試技術(shù)和市場年會(huì).jpg

本次年會(huì)吸引了包括政府主管部門、國家科技重大專項(xiàng)專家、相關(guān)地方協(xié)會(huì)、科研院所、全球知名半導(dǎo)體封測產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)參加。新拓三維受邀參加并攜帶自主研發(fā)的XTDIC-MICRO三維顯微應(yīng)變測量系統(tǒng)參展,助力半導(dǎo)體封裝缺陷和失效全場監(jiān)測和分析。

新拓三維XTDIC-MICRO三維顯微應(yīng)變測量系統(tǒng)參展.jpg

電子封裝起著裝置、密封、保護(hù)芯片和增強(qiáng)導(dǎo)熱性能的作用,其封裝過程的缺陷和失效是非常復(fù)雜的。只有不斷探索封裝缺陷和失效原因,對(duì)封裝過程進(jìn)行全場監(jiān)測與分析,這樣才能精確探究缺陷產(chǎn)生的原因。

新拓三維XTDIC-MICRO三維顯微應(yīng)變測量系統(tǒng)用于芯片半導(dǎo)體材料測試.jpg

新拓三維XTDIC-MICRO非接觸式三維顯微應(yīng)變測量系統(tǒng),作為研究電子封裝失效分析的重要測量工具,廣泛應(yīng)用于芯片半導(dǎo)體熱膨脹、封裝電子板的微變形測試,對(duì)芯片半導(dǎo)體熱應(yīng)變進(jìn)行全場測量,驗(yàn)證計(jì)算模型的正確性和準(zhǔn)確性,主要分析芯片在熱力學(xué)環(huán)境下可靠性問題。

為半導(dǎo)體芯片封裝測試賦能

半導(dǎo)體芯片封裝變形,主要由器件自身的熱膨脹,或由其相連的焊點(diǎn)對(duì)芯片的作用力。熱載荷環(huán)境下的芯片微應(yīng)變?nèi)珗鰷y量,基于顯微數(shù)字圖像相關(guān)(XTDIC-Micro)的熱應(yīng)變?nèi)珗鰷y量技術(shù),可滿足半導(dǎo)體封測企業(yè)迫切的封測缺陷和失效微應(yīng)變測量。

新拓三維XTDIC-MICRO三維顯微應(yīng)變測量系統(tǒng)用于芯片半導(dǎo)體材料測試.jpg

在電路板裝配重要元器件過程中,元器件引腳部位易產(chǎn)生裝配應(yīng)力和變形。電路板會(huì)因引腳產(chǎn)生裝配應(yīng)力、蠕變?cè)斐蔁o法工作,元器件引腳可靠性及熱效應(yīng)分析非常重要。普通應(yīng)變片直接覆蓋階梯下降區(qū)域,無法測量引腳部位應(yīng)變分布變化。

通過引入XTDIC-MICRO顯微應(yīng)變測量系統(tǒng),測量逆變器電子元器件引腳下材質(zhì)基底的變形情況,可以系統(tǒng)獲取的應(yīng)變和應(yīng)變速率變化,判斷元器件的熱效應(yīng)變形分布,直接給出缺陷和失效診斷依據(jù),同時(shí)收集相關(guān)數(shù)據(jù),方便調(diào)整、優(yōu)化封測工藝和流程。

新拓三維XTDIC-MICRO三維顯微應(yīng)變測量系統(tǒng)用于半導(dǎo)體熱變形測量.jpg

元器件熱變形測量

電子元器件在使用過程中會(huì)出現(xiàn)發(fā)熱,發(fā)熱和冷卻過程可視為熱疲勞過程。不同溫度載荷下,元器件展現(xiàn)出不同應(yīng)變分布特性和位移特性。

采用XTDIC-Micro顯微應(yīng)變測量系統(tǒng)測量PCB板表面變形應(yīng)變情況,分析其熱膨脹系數(shù)。通過搭配高低溫控箱,XTDIC-MICRO顯微系統(tǒng)搭配,采用顯微鏡,可在-40℃~150℃溫度變化下,測量PCB板出現(xiàn)應(yīng)變集中和失效形式。

新拓三維XTDIC-MICRO三維顯微應(yīng)變測量系統(tǒng)用于PCB板熱膨脹測量.jpg

PCB板高低溫?zé)崤蛎洔y試

芯片結(jié)構(gòu)復(fù)雜,各層材料熱膨脹系數(shù)的差異,會(huì)引起熱失配現(xiàn)象。芯片斷面不同材質(zhì)溫度變化變形及應(yīng)變測量;采用光學(xué)體式顯微鏡,結(jié)合雙目立體視覺,實(shí)現(xiàn)三維全場變形;分析微觀尺度熱應(yīng)變,與理論分析對(duì)比,驗(yàn)證芯片材料可靠性。

新拓三維XTDIC-MICRO三維顯微應(yīng)變測量系統(tǒng)用于芯片熱翹曲測量.jpg

芯片熱翹曲測試

采用數(shù)字圖像相關(guān)的測量技術(shù)實(shí)現(xiàn)微尺度變形測量,只需進(jìn)行微納散斑制作,半導(dǎo)體待測區(qū)域表面作防反光處理。然后使用CCD 相機(jī)配合顯微鏡頭采集試件受熱前后散斑圖像,即可對(duì)芯片半導(dǎo)體在各種溫度環(huán)境、各種動(dòng)態(tài)變化中進(jìn)行全場應(yīng)變測量。

想用戶所想,持續(xù)助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

近年來,在國家政策的大力支持下,半導(dǎo)體芯片行業(yè)迎來了一個(gè)黃金發(fā)展時(shí)期。新拓三維自主研發(fā)的XTDIC-MICRO顯微應(yīng)變測量系統(tǒng),可以滿足半導(dǎo)體行業(yè)的在各種溫度環(huán)境下的測試需求,助力用戶優(yōu)化生產(chǎn)工藝,并在材料層面保證芯片半導(dǎo)體滿足封測性能需求。

目前,新拓三維已經(jīng)為許多半導(dǎo)體行業(yè)的主要客戶提供了服務(wù)。未來,新拓三維將始終站在半導(dǎo)體企業(yè)的角度,不斷研發(fā)封裝測試測量創(chuàng)新的解決方案,促進(jìn)國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。


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